PMOS管的导通条件是 栅源电压小于阈值电压。对于P沟道金属氧化物半导体场效应管（PMOS），当栅极（G）与源极（S）之间的电压差（VGS）小于其阈值电压（Vth）时，PMOS管会导通。由于PMOS管的源极通常连接到电源电压（VDD），因此当VGS为负电压且其绝对值大于Vth时，PMOS管会导通，允许电流从源极流向漏极。
具体来说，PMOS管的导通条件可以总结如下：
栅源电压：
VGS < Vth
源极电压：
Vs（源极）通常接VDD
漏极电压：
Vd（漏极）通常接地
在实际应用中，为了使PMOS管导通，需要确保以下几点：
栅极电压VGS为负值且其绝对值大于阈值电压Vth。
源极电压Vs（通常为VDD）高于漏极电压Vd（通常为地）。
这些条件确保了PMOS管在适当的电压条件下能够正常工作，实现从源极到漏极的电流导通。