DS18B20的读数和编程方法如下：
读数方法
初始化
将数据线置为高电平“1”。
延时一段时间（建议480-960微秒）。
数据线拉到低电平“0”。
延时750微秒。
数据线拉高到高电平“1”。
延时等待（15-60毫秒），直到检测到DS18B20返回的低电平“0”为止。
读操作
将数据线拉高到高电平“1”。
延时2微秒。
数据线拉低到低电平“0”。
延时15微秒。
数据线拉高到高电平“1”。
延时15微秒。
读取数据线的状态，得到1个状态位，并进行数据处理。
延时30微秒。
编程方法
1. 写入一个字节
```c
void WriteOneChar（unsigned char dat） {
unsigned char i = 0；
for （i = 8； i > 0； i--） {
DQ = 0； // 高电平拉至低电平时，写周期的开始
DQ = dat & 0x01； // 数据的最低位先写入
delay_18B20（5）； // 60us到120us延时
DQ = 1；
dat >>= 1； // 从最低位到最高位传入
}
}
```
2. 读取一个字节
```c
unsigned char ReadOneChar（void） {
uchar i = 0；
uchar dat = 0；
for （i = 8； i > 0； i--） {
DQ = 0； // 高电平拉成低电平时读周期开始
dat >>= 1；
DQ = 1； // 给脉冲信号
if （DQ） dat |= 0x80；
delay_18B20（4）；
}
return（dat）；
}
```
3. 读取当前温度（9位模式）
```c
void ReadTemperature9Bit（void） {
WriteOneChar（0x44）； // 开始转换命令
delay_18B20（750）； // 转换时间
WriteOneChar（0xBE）； // 读存储器命令
unsigned char temp = ReadOneChar（）； // 读取温度值（低字节）
temp |= （ReadOneChar（） << 8）； // 读取温度值（高字节）
// 处理温度值
}
```
4. 读取当前温度（12位模式）
```c
void ReadTemperature12Bit（void） {
WriteOneChar（0x44）； // 开始转换命令
delay_18B20（93）； // 转换时间
WriteOneChar（0xBE）； // 读存储器命令
unsigned char temp_low = ReadOneChar（）； // 读取温度值（低字节）
unsigned char temp_high = ReadOneChar（）； // 读取温度值（高字节）
unsigned int temp = （temp_high << 8） | temp_low； // 组合成12位温度值
// 处理温度值
}
```
注意事项
在进行读写操作时，务必遵循DS18B20的时序要求，否则可能导致读取失败。
延时时间建议根据具体硬件和实际情况进行调整。
编程时使用的库函数或自定义延时函数应确保准确性。
通过以上步骤和代码示例，你可以实现DS18B20的读数和编程。