CMOS电平是指 基于互补金属氧化物半导体（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，简称CMOS）技术所实现的电子设备中采用的电压信号水平。在CMOS技术中，电路中的晶体管采用p型和n型半导体材料组成，当电路中没有输入信号时，CMOS电路处于静态状态，电压只能在低电平和高电平之间变化，而不会处于中间状态。
标准CMOS电路中通常使用的两种CMOS电平标准分别为TTL（Transistor–Transistor Logic）和CMOS。TTL标准规定了逻辑“0”和“1”的电平分别为0V和5V。而CMOS标准则规定逻辑“0”和“1”的电平分别为0V和高电平，一般在0.7V~1.5V之间。
由于CMOS电平标准具有低功耗、高噪声容限等特点，因此在数字集成电路和模拟电路中得到了广泛的应用。
CMOS电平的特点
低功耗：
CMOS电路的功耗较低，适合于长时间运行的应用，如电池供电的设备。
高噪声容限：
CMOS电路对噪声的容限较高，不易受到外界电磁干扰的影响。
宽电源电压范围：
CMOS电路的电源电压范围较宽，可以从几伏到十几伏不等，具体数值取决于所应用的电源。
CMOS电平与TTL电平的区别
驱动能力：
TTL电平具有更高的驱动能力，可以驱动更多电路板上其他元件，而CMOS电平的驱动能力较差，只能驱动少量元件。
功率消耗：
CMOS电平具有更低的功率消耗，比TTL电平能够获得更长的电池寿命和电路寿命。
电压要求：
TTL电平对电压的要求较高，输入为“1”的电压约为2.0V，而在CMOS电路中，为3.5V以上。
速度和抗干扰性：
TTL电平的速度比CMOS电平快，但抗干扰性较差；CMOS电平的抗干扰性较强，但速度较慢。
应用领域
CMOS电平广泛应用于电子芯片、微处理器和数字集成电路等领域，以实现低功耗和高性能的电子设备。
兼容性问题
由于TTL电平和CMOS电平的电压电平不同，它们之间不能直接兼容。如果需要将TTL电平信号转换为CMOS电平信号，需要使用电平转换电路。
总结
CMOS电平是一种低功耗、高噪声容限的数字逻辑电平，广泛应用于各种电子设备中。与TTL电平相比，CMOS电平具有更低的驱动能力、更低的功率消耗和更宽的电源电压范围，但也存在速度和抗干扰性方面的差异。在实际应用中，需要根据具体需求选择合适的电平标准，并可能需要使用电平转换电路来实现不同电平之间的兼容。