CMOS电平是指基于互补金属氧化物半导体（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，简称CMOS）技术所实现的电子设备中采用的电压信号水平。CMOS电平具有低功耗、高噪声容限和广泛的应用等特点，在数字集成电路、模拟电路以及通讯电路等领域得到了广泛的应用。
标准CMOS电路中通常使用的两种CMOS电平标准分别为TTL（Transistor–Transistor Logic）和CMOS。TTL标准规定了逻辑“0”和“1”的电平分别为0V和5V。而CMOS标准则规定逻辑“0”和“1”的电平分别为0V和高电平，一般在0.7V~1.5V之间。
具体来说，CMOS电平的逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。CMOS电平的主要特点包括：
低功耗：
CMOS电路在静态时几乎没有电流流动，因此功耗非常低。
高噪声容限：
CMOS电平具有较大的噪声容限，对电源噪声和信号干扰有较好的抵抗能力。
宽工作电压范围：
CMOS电平的工作电压通常在3.0V至5.5V之间，甚至可以达到12V。
高速度：
CMOS电路的速度通常比TTL电平快，适用于高速数据传输和处理。
在实际应用中，CMOS电平与TTL电平存在一些区别：
驱动能力：
TTL电平具有更高的驱动能力，可以驱动更多的电路元件；而CMOS电平的驱动能力相对较弱，通常只能驱动少量元件。
功耗：
CMOS电平的功耗较低，适合电池供电的设备；而TTL电平的功耗较高，不太适合长时间运行。
抗干扰性：
CMOS电平抗干扰性较强，受外界电磁干扰的可能性较小；而TTL电平的抗干扰性较差，容易受干扰发生误动作。
根据不同的应用需求和电路设计，可以选择合适的电平标准。例如，在低功耗应用中，通常会选择CMOS电平；在需要高驱动能力的场合，则可能选择TTL电平。