MOS管的主要参数包括：
开启电压 （VT）
使得源极 S 和漏极 D 之间开始形成导电沟道所需的栅极电压。
标准的 N 沟道 MOS 管，VT 约为 3~6V，通过工艺改进可降到 2~3V。
直流输入电阻 （RGS）
即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比。
可以很容易地超过 1010Ω。
漏源击穿电压 （BVDS）
在 VGS=0 （增强型） 的条件下，增加漏源电压过程中使 ID 开始剧增时的 VDS。
ID 剧增的原因包括漏极附近耗尽层的雪崩击穿和漏源极间的穿通击穿。
栅源击穿电压 （BVGS）
在增加栅源电压过程中，使栅极电流 IG 由零开始剧增时的 VGS。
低频跨导 （gm）
在 VDS 为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比。
反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征 MOS 管放大能力的一个重要参数，一般在十分之几至几 mA/V 的范围内。
导通电阻 （RON）
导通电阻 RON 说明了 VDS 变化时漏极电流的变化率，即 VDS 变化一个单位时漏极电流的变化量。
漏极电流 （Id）
MOS管在截止状态下的漏极电流大小。
饱和漏极电流 （Idsat）
MOS管在饱和区时的漏极电流大小。
转导增益 （gm）
表示 MOS 管输入电流与输出电流之间的比例关系，即输入电流变化一个单位时漏极电流的变化量。
输出电阻 （Ron）
MOS管在导通状态下的有效电阻，决定了 MOS 管的电流传输能力。
切换时间 （ts, td）
MOS管从导通到截止或从截止到导通的时间。
最大额定值
包括 VDS （最大漏-源电压）、VGS （最大栅源电压）、ID （连续漏电流）、IDM （脉冲漏极电流）、PD （最大耗散功率）、TJ （最大工作结温）、TSTG （存储温度范围）、EAS （单脉冲雪崩击穿能量）、EAR （重复雪崩能量）、IAR （雪崩击穿电流） 等。
静态特性
包括 V（BR）DSS （漏源破坏电压）、VGS（th）, VGS（off） （阈值电压）、RDS（on） （导通电阻）、IDSS （零栅压漏极电流）、IGSS （栅源漏电流） 等。
动态特性
包括 Ciss （输入电容）、Coss （输出电容）、Crss （米勒电容）、Qg （总栅极充电电荷）、Qgs （栅源充电电荷）、td（on） （导通延时时间）、td（off） （关断延时时间） 等。
这些参数共同决定了 MOS 管的性能和应用范围。在实际应用中，选择合适的 MOS 管需要综合考虑这些参数，以满足特定的电路需求和工作条件。