MOS管，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种用于控制电流流动的半导体器件。它具有三个主要的电极，分别是：
栅极（Gate）
栅极是控制电流流动的关键电极，通过施加电压来控制半导体沟道的导电性。
栅极通常由金属制成，与源极之间有一层绝缘层（通常是氧化物）。
源极（Source）
源极是MOS管的输入端，连接到半导体材料的P型或N型区域。
在N沟道MOS管中，源极是电子流入的端点；在P沟道MOS管中，源极是电子流出的端点。
漏极（Drain）
漏极是MOS管的输出端，连接到外部电路，电子从源极流向漏极。
在N沟道MOS管中，漏极是电子最终流入的端点；在P沟道MOS管中，漏极是电子最终流出的端点。
通过改变栅极与源极之间的电压，可以控制半导体沟道的导电性，从而实现电流的开关控制。这种特性使得MOS管在数字电路和模拟电路中都有广泛的应用。