光刻胶，也称为光致抗蚀剂（Photoresist），是一种对光敏感的混合液体，主要用于微电子技术中的微细图形加工。它在光刻工艺中充当图形转移的模板，通过光的照射或辐射，其溶解度发生变化，从而实现从掩膜版到待加工基片上的图形转移。光刻胶的主要成分包括感光材料、聚合物材料（树脂）和溶剂。
光刻胶的分类方法多样，根据曝光波长的不同，可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶在曝光后变得更易溶解在指定的溶剂中，而负性光刻胶在曝光后则变得更难溶解。
光刻胶在微电子制造中扮演着至关重要的角色，它通过光影转移的过程帮助创建复杂的图案，并最终实现集成电路芯片和其他微纳米器件的制造。由于其高分辨率和敏感度，光刻胶技术的发展直接影响到半导体器件的性能和集成度。
随着技术的进步，光刻胶的极限分辨率不断提高，适用的光刻极限分辨率从最初的微米级逐渐缩小到纳米级，满足了现代微电子器件对高集成度和高性能的需求。