IRF540 是一款由 Risym 公司生产的 N 沟道 MOSFET。其主要参数如下：
额定电压 （DC） : 100V额定电流
: 28.0A
漏源极电阻: 77.0mΩ
耗散功率: 150W
连续漏极电流 （Ids）: 28.0A
上升时间: 44.0ns
安装方式: Through Hole
封装: TO-220
针脚数: 3
功率 Pd: 120W
引脚节距: 2.54mm
满功率温度: 25°C
功耗: 94W
晶体管类型: N沟道
电压规格:
漏源电压： 100V
栅源电压： 20V
栅源阈值电压： 2至4V
电流规格:
漏极电流： 20至28A
脉冲漏极电流： 110A
温度:
工作温度耐受能力高达 175℃
满功率温度： 25°C
热阻： 结至外壳 A: 1.1°C/W 其他特性
动态 dV/dt 等级
重复雪崩等级
快速切换
易于并行
驱动器要求简单
符合 RoHS 指令 2002/95/EC
这些参数使得 IRF540 能够在各种高功率应用中提供稳定的电压和电流，适用于 CPU、AGP 插槽和内存插槽附近等场景。