场效应晶体管（Field Effect Transistor，简称FET）的命名主要依据其类型、结构和材料。以下是两种常见的命名方法：
与双极晶体管相同的命名方法
第三个字母：J代表结型场效应管（Junction FET），O代表绝缘栅型场效应管（Insulated Gate FET）。
第二个字母：D代表P型硅N沟道，C代表N型硅P沟道。
示例：3DJ6D是结型N沟道场效应晶体管，3DO6C是绝缘栅N沟道场效应晶体管。
CS××的命名方法
CS：代表场效应管。
××：以数字代表产品型号的序号。
：用字母表示同一型号中的不同规格。
示例：CS14A、CS45G等。
这些命名规则有助于工程师快速识别场效应管的类型和规格，并促进了场效应管的标准化和规范化生产。