类型：NPN型晶体三极管
制造工艺：硅
极限参数：
最大耗散功率：通常由晶体管的制造工艺和结构等因素决定
最大电流放大倍数（hFE）：通常在30~300之间
最大集电极电压（Vceo）：能够承受的最大电压值
最大漏极电流：在特定条件下允许通过的最大电流
最大功耗温度：在特定温度下允许的最大功率耗散
直流参数：
集电极反向饱和电流（Icbo）：发射极开路时的电流
穿透电流（Iceo）：基极开路时的电流
发射极-基极反向电流（Ieb）：发射结在反向电压下的电流
直流电的放大系数（β）：集电极电流与基极电流的比值
交流参数：
系数β（或hfe）：共发射极接法的电流放大倍数，通常在10~200之间
系数α（或hfb）：共基接法的电流放大倍数，通常要求大于0.90
截止频率fβ、fα：分别对应β和α的降频频率
其他特性：
广泛应用于高频放大和开关电路
有多种型号和参数可供选择，以满足不同的应用需求
以上参数为8050三极管的主要特性和应用指南，实际应用时需要根据具体电路需求选择合适的型号和参数。